半导体中N型半导体与P型半导体

在电子电路中半导体是一种非常常见的器件，在这里广州大阳城集团娱乐网站app下载电子给大家整理了半导体中常见的两种类型的制作方法以及它们的区别。

一.N型半导体是如何制作：

向硅品体中加入极少量的砷。此时,砷进行原子结合需要5个电子，与之相比硅只需4个，从而多出1个电子，此电子在晶体中游动。这个电子因没有其他电子与之结合而变得容易移动，微小的能量就可使其成为自由电子。此类存在多余自由电子的半导体称为N型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体，是一种电子型半导体。

二.P型半导体是如何制作：

在硅晶体中加人铟等3价原子时，会发生与N型半导体相反的现象。如图1. 38所示,因为钢的价电子为3,与硅结合时缺少1个电子，从而产生空穴拉拢附近的价电子。此类拥有空穴的半导体称为P型半导体。即空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。

三.那这两种半导体有什么区别呢？

半导体中有两种载流子，即价带中的空穴和导带中的电子，以电子导电为主的半导体称之为N型半导体，与之相对的，以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。

“N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是N型半导体。例如，含有适量五价元素砷、磷、锑等的锗或硅等半导体。 由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

在P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故呈电中性。P型半导体掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。其空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

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